NSBC114YDP6T5G详细参数_参考价格_NSBC114YDP6T5G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：28,804(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-963-6
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC114YDP6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.37 mm
长度	1 mm
宽度	0.8 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
单位重量	1.100 mg

商品其它信息

优势价格，NSBC114YDP6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIHB23N60E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	1:¥35.5724 10:¥31.8095 100:¥26.2838 250:¥23.1311	参考库存:11886
TSM130NB06LCR RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET	1:¥8.3733 10:¥7.3789 100:¥5.6613 500:¥4.1923 2,500:¥2.9606 5,000:查看	参考库存:51839
IPB60R199CPA	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA	1:¥28.815 10:¥24.5097 100:¥21.2101 250:¥20.1366 1,000:¥15.2889 2,000:查看	参考库存:51844
A2T21H450W19SR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP	150:¥1,466.2654	参考库存:51849
IRF3205STRRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC	800:¥5.8534	参考库存:51854