UMG8NTR详细参数_参考价格_UMG8NTR PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TUMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMG8N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.77 mm
长度	2 mm
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMG8N
单位重量	35 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RTR011P02TL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -20V, -1A	1:¥3.1527 10:¥2.599 100:¥1.582 1,000:¥1.2204 3,000:¥1.04525	参考库存:34245
AUIRFS3307ZTRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET	1:¥25.199 10:¥21.4361 100:¥18.5998 250:¥17.5941 800:¥13.3679 2,400:查看	参考库存:34250
2SA1955FVBTPL3Z	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO	1:¥3.9211 10:¥2.1696 100:¥0.92999 1,000:¥0.71416 8,000:¥0.48364 24,000:查看	参考库存:34255
SH8M11TB1	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A	1:¥5.2206 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 2,500:¥1.8758	参考库存:34260
IRFS4321TRRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC	1:¥21.5943 10:¥18.3625 100:¥15.9104 250:¥15.0629 500:¥13.5261 800:¥13.5261	参考库存:34265