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晶体管
BSM50GP120参考图片

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BSM50GP120

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库存:7,453(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,356.00
1356
5
¥1,323.4108
6617.054
10
¥1,290.5278
12905.278
25
¥1,272.4704
31811.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
360 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GP120BOSA1 SP000100379
商品其它信息
优势价格,BSM50GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 50A
1:¥392.8106
5:¥383.974
10:¥368.9902
25:¥357.08
参考库存:2454
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.6104
10:¥3.3561
100:¥2.1131
500:¥1.7063
3,000:¥1.3447
9,000:查看
参考库存:14751
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥8.9948
10:¥7.345
100:¥6.1133
500:¥4.7234
1,000:¥4.2601
参考库存:5098
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.2996
10:¥1.6046
100:¥1.10627
500:¥0.90626
10,000:¥0.52206
参考库存:52310
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 16A 250V FG
1:¥34.578
10:¥29.4252
100:¥25.5154
250:¥24.2046
参考库存:3317
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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