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晶体管
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BSM50GP120

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数量单价合计
1
¥1,356.00
1356
5
¥1,323.4108
6617.054
10
¥1,290.5278
12905.278
25
¥1,272.4704
31811.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
360 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GP120BOSA1 SP000100379
商品其它信息
优势价格,BSM50GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.1365
10:¥15.4471
100:¥12.2944
500:¥10.7576
2,500:¥8.2942
5,000:查看
参考库存:13606
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
700:¥2.4634
参考库存:22293
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
2,500:¥5.3675
5,000:查看
参考库存:13660
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:4442
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥12.5204
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:13539
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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