FJN4301RTA详细参数_参考价格_FJN4301RTA PDF资料_ON Semiconductor / Fairchild

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN4301R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	20
发射极 - 基极电压 VEBO	- 10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
单位重量	240 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PMPB215ENEA/FX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMPB215ENEA/F/SOT1220/REEL 7	3,000:¥1.05994 9,000:¥0.99101 24,000:¥0.9379 45,000:¥0.91417 99,000:¥0.88366	参考库存:27700
AUIRF8736M2TR	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Auto FET 30V 18A 4.8Ohm 17nC	1:¥21.2892 10:¥18.1365 100:¥15.6731 250:¥14.9047 4,800:¥10.2943	参考库存:27705
ZXTP25140BFHQTA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor	1:¥5.3788 10:¥4.4748 100:¥2.8815 1,000:¥2.3052 3,000:¥2.3052	参考库存:22302
AUIRFR2407TRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms	1:¥14.8256 10:¥12.5995 100:¥10.0683 500:¥8.8366 3,000:¥6.7913 6,000:查看	参考库存:22304
ZXMS6005N8Q-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Low Side IntelliFET	1:¥6.8365 10:¥5.7178 100:¥3.6838 1,000:¥2.9493 2,500:¥2.9493	参考库存:19806