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晶体管
BC857BLP4-7B参考图片

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BC857BLP4-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1006H4-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 650 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC857B
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at -2 mA, - 5 V
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BC857BLP4-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
1:¥3.0736
10:¥2.5651
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:93927
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
3,000:¥3.3222
参考库存:14954
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥10.9836
参考库存:9351
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,500:¥12.8368
4,500:查看
参考库存:11953
晶体管
IGBT 模块
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:4505
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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