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晶体管
2SB1580T100参考图片

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2SB1580T100

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 DARL PNP 100V 2A
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数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.3222
332.22
1,000
¥2.6555
2655.5
2,000
¥2.2487
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
增益带宽产品fT
50 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
2SB1580
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SB1580T100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 300V N-Channel QFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:8850
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:4447
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3694
晶体管
MOSFET 40V 3Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
参考库存:26061
晶体管
MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO
1:¥4.068
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:44713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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