MUN2212T1G详细参数_参考价格_MUN2212T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-59
直流集电极/Base Gain hfe Min	60
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	338 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN2212
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.09 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.5 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI1012CR-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A	1:¥4.1471 10:¥2.3956 100:¥1.4012 500:¥1.1413 3,000:¥0.76049 6,000:查看	参考库存:423850
AUIRFS8405	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A	1:¥19.9784 10:¥16.9839 100:¥13.5261 500:¥11.8311	参考库存:17147
FS100R12KT4G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A	1:¥1,160.3631 5:¥1,137.5371 10:¥1,084.5175 25:¥1,061.7028	参考库存:2329
CPH5541-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 0.7A 30V	1:¥3.842 10:¥2.8928 100:¥1.5707 1,000:¥1.1752 3,000:¥1.01474	参考库存:17176
STP80NF10	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp	1:¥22.5096 10:¥19.1309 100:¥16.5997 250:¥15.7522	参考库存:11658