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晶体管
2SJ305TE85LF参考图片

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2SJ305TE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW
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库存:17,376(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.277
32.77
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.5481
1548.1
3,000
¥1.3221
3966.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
2SJ305
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
0.15 us
典型接通延迟时间
0.06 us
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格,2SJ305TE85LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 60V
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
3,000:¥2.2939
参考库存:101653
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.2781
250:¥23.9786
500:¥21.5152
参考库存:7685
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:11257
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:12689
晶体管
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
3,000:¥4.0906
参考库存:33521
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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