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晶体管
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FQB22P10TM

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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.2207
3610.35
800
¥5.7065
4565.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB22P10
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
13.5 S
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
170 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FQB22P10TM_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FQB22P10TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5020
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel -50V 50mA 500mW 4mW
1:¥88.9084
10:¥74.7608
100:¥68.7718
250:¥62.7037
参考库存:4037
BC847CM,315
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 45V 100mA
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:73959
SSM3K37MFV,L3F
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:91791
NSV60600MZ4T3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19578
IPW60R099CPA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥60.4776
10:¥54.6355
25:¥52.093
100:¥45.2565
参考库存:5095

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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