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晶体管
IPB036N12N3 G参考图片

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IPB036N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存:32,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.4093
50.4093
10
¥42.8722
428.722
100
¥37.1092
3710.92
250
¥35.2673
8816.825
1,000
¥26.668
26668
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB036N12N3GATMA1 IPB36N12N3GXT SP000675204
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB036N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel -50V 50mA 500mW 4mW
1:¥88.9084
10:¥74.7608
100:¥68.7718
250:¥62.7037
参考库存:4037
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 45V 100mA
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:73959
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:91791
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19578
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥60.4776
10:¥54.6355
25:¥52.093
100:¥45.2565
参考库存:5095
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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