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晶体管
ST13007D参考图片

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ST13007D

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PTD HIGH VOLTAGE
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库存:15,551(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3788
53.788
100
¥3.4691
346.91
1,000
¥2.7685
2768.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ST13007D
高度
15.75 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
18 at 2 A, 5 V, 8 at 5 A, 5 V
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,ST13007D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥16.9839
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
2,500:¥7.7631
5,000:查看
参考库存:10516
晶体管
MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥26.9731
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
3,000:¥13.6052
6,000:查看
参考库存:15113
晶体管
MOSFET 20V 35A 52W
1:¥8.5315
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
3,000:¥4.6782
参考库存:28735
晶体管
MOSFET FPS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
3,000:¥7.7631
6,000:查看
参考库存:14042
晶体管
MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2546
500:¥6.4071
1,000:¥5.0511
2,500:¥4.4861
参考库存:14469
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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