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晶体管
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2N5629

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Pwr
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数量单价合计
160
¥51.4037
8224.592
260
¥47.2566
12286.716
500
¥39.7308
19865.4
1,000
¥37.4934
37493.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
1 MHz
最小工作温度
- 60 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5629
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
4 at 16 A, 2 V
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N5629 TIN/LEAD
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:9457

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