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晶体管
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FQP19N20C

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数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3563
735.63
500
¥6.4975
3248.75
1,000
¥5.1302
5130.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP19N20C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
10.8 S
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQP19N20C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP19N20C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:51046
GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:51051
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:51056
STP180NS04ZC
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH CLMP 12A FULL PROTCT SAFeFET
1,000:¥17.8314
2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2946
参考库存:51061
IPLK80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:51066

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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