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晶体管
IPP200N15N3 G参考图片

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IPP200N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:17,847(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP200N15N3GXKSA1 IPP2N15N3GXK SP000680884
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP200N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:40439
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/30A CJ52 FAST IGBT
206:¥21.8994
250:¥20.8259
500:¥18.6676
1,000:¥15.7522
参考库存:112232
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥5,153.6588
参考库存:40446
晶体管
MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
2,500:¥4.7234
5,000:¥4.4861
10,000:¥4.3166
参考库存:40451
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 25 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4182
1,500:¥2.0453
参考库存:40456
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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