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晶体管
SIA517DJ-T1-GE3参考图片

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SIA517DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.8928
289.28
500
¥2.373
1186.5
1,000
¥1.8419
1841.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms, 61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S, 11 S
下降时间
10 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 30 ns
零件号别名
SIA517DJ-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SIA517DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTB114GC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:47388
DMP2008UFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V P-CH MOSFET
3,000:¥1.4803
参考库存:47393
SQM200N04-1M8_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥21.4361
10:¥17.8314
100:¥13.8312
500:¥12.0684
参考库存:47398
NVMFS5C466NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
1,500:¥2.0227
参考库存:47403
A2T18H160-24SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥693.4019
参考库存:47408

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