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晶体管
SQM200N04-1M8_GE3参考图片

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SQM200N04-1M8_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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库存:47,398(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥17.8314
178.314
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
310 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
高度
4.82 mm
长度
10.41 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
198 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,SQM200N04-1M8_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
1:¥8.2264
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
4,000:¥3.3222
8,000:查看
参考库存:27864
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:25881
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
1,500:¥1.8758
参考库存:31153
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
500:¥13.0628
800:¥13.0628
参考库存:4035
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.7578
500:¥13.2888
800:¥13.2888
参考库存:9207
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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