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晶体管
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BSZ068N06NS

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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.1359
61.359
100
¥4.7121
471.21
500
¥4.1697
2084.85
5,000
¥2.9154
14577
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
BSZ068N06NSATMA1 SP001067002
商品其它信息
优势价格，BSZ068N06NS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN360P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
1:¥3.2996
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.89157
参考库存:278926
IRF9630PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥9.6841
参考库存:19253
FDMS8680
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.7461
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:22975
FDMC2610
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9269
3,000:¥5.3449
6,000:查看
参考库存:18632
BUK9606-75B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:25094

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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