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晶体管
2SD2226KT146W参考图片

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2SD2226KT146W

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 150MA
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.8928
28.928
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.1752
1175.2
3,000
¥1.01474
3044.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD2226K
直流电流增益 hFE 最大值
1200 at 1 mA, 5 V
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
0.15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1200
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SD2226KT146W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW15N120BH6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14
1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
500:¥25.5154
参考库存:4172
FZT857TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:43704
BUK765R0-100E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:25911
IKB20N65EH5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
3,000:¥11.526
5,000:查看
参考库存:6813
2N7000TA
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
2,000:¥0.49155
参考库存:425605

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    50万现货SKU

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