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产品分类

晶体管
IKW15N120BH6XKSA1参考图片

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IKW15N120BH6XKSA1

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库存:4,172(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.567
40.567
10
¥34.4989
344.989
100
¥29.8885
2988.85
250
¥28.3517
7087.925
500
¥25.5154
12757.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
IGBT6
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW15N120BH6
商品其它信息
优势价格,IKW15N120BH6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:30323
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥33.6514
10:¥30.0467
25:¥27.0522
50:¥26.3516
参考库存:2905
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:61152
晶体管
MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.2999
2,500:¥7.2207
5,000:查看
参考库存:112584
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:10061
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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