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晶体管
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FQI4N90TU

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库存:5,266(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI4N90
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
FQI4N90TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FQI4N90TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.7578
5,000:¥10.2152
参考库存:13061
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
参考库存:4498
晶体管
MOSFET N-ch 30V 50A DP
1:¥7.2207
10:¥5.5822
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.4295
参考库存:4950
晶体管
MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.1149
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
800:¥20.1366
2,400:查看
参考库存:9082
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:24589
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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