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晶体管
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SS9012HBU

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数量单价合计
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10
¥1.2317
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100
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¥0.35369
353.69
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.18 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SS9012
直流电流增益 hFE 最大值
202
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Bulk
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
64
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS9012HBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格，SS9012HBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CN86 FAST IGBT U
240:¥18.7467
250:¥17.8314
500:¥15.9782
1,000:¥13.447
参考库存:37336
DMN1019USN-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
10,000:¥0.82264
参考库存:44645
U233
InterFET
晶体管
JFET Dual JFET N-Ch -50V 50mA 300mW 10Vgs
1:¥127.6335
10:¥107.35
100:¥98.7394
250:¥90.061
参考库存:44650
MMRF1020-04NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:44655
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:44660

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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