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晶体管
FQA9N90-F109参考图片

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FQA9N90-F109

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库存：5,428(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.4307
26.4307
10
¥22.4418
224.418
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
8.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA9N90_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
135 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
FQA9N90_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FQA9N90-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
1,000:¥7.4919
参考库存:4230
TPCA8128,LQ(CM
Toshiba
晶体管
MOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W
1:¥11.0627
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:39017
DCP54-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 45V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:13364
FS75R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥1,421.9242
5:¥1,387.7304
10:¥1,353.2315
25:¥1,334.2475
参考库存:3521
IGW30N100T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
500:¥26.5889
参考库存:4258

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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