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晶体管
NTJD5121NT2G参考图片

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NTJD5121NT2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9549
19.549
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69156
691.56
3,000
¥0.59212
1776.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
295 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
900 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NTJD5121N
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,NTJD5121NT2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
3,000:¥2.147
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1,000:¥10.9158
2,000:¥10.1474
5,000:¥9.7632
参考库存:41885
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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