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晶体管
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FP15R12KE3G

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数量单价合计
1
¥466.8821
466.8821
5
¥456.4296
2282.148
10
¥438.5982
4385.982
25
¥424.4619
10611.5475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
100 W
封装 / 箱体
EconoPIM2-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP15R12KE3GBOSA1 SP000100425
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FP15R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
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100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
48,000:查看
参考库存:40321
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL TRANSISTOR -100MA-50V
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:40326
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    50万现货SKU

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