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晶体管
HUF75842P3参考图片

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HUF75842P3

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库存:5,105(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.7358
26.7358
10
¥22.7469
227.469
100
¥19.7524
1975.24
250
¥18.7467
4686.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
HUF75842P3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
HUF75842P3_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,HUF75842P3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N ch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:5885
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
1:¥7.5258
10:¥6.6331
100:¥5.1528
500:¥3.8533
1,000:¥3.1188
2,500:¥3.1188
参考库存:253242
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:5344
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:7426
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6388
5,000:¥5.6839
10,000:查看
参考库存:18293
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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