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晶体管
BSC16DN25NS3 G参考图片

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BSC16DN25NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:18,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6388
3819.4
5,000
¥5.6839
28419.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
10.9 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GXT SP000781782
商品其它信息
优势价格,BSC16DN25NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET RECOMMENDED ALT 781-SST204-TR
1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:16707
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
参考库存:8769
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.6838
10:¥3.6612
25:¥3.0849
100:¥2.7685
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:14001
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC123YMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:53648
晶体管
MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:8265
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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