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晶体管
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FDT86106LZ

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库存:34,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
4,000
¥3.4804
13921.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FDT86106LZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FDT86106LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥937.6062
参考库存:50653
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington
9,000:¥0.70738
24,000:¥0.64523
45,000:¥0.62263
99,000:¥0.5989
参考库存:50658
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥728.3641
5:¥704.8488
10:¥682.8816
25:¥650.993
参考库存:50663
晶体管
MOSFET
3,000:¥8.2942
6,000:¥7.9891
9,000:¥7.684
参考库存:50668
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,040.2554
参考库存:50673
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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