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晶体管
TSM60NB099PW C1G参考图片

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TSM60NB099PW C1G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
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数量单价合计
1
¥59.325
59.325
10
¥53.4038
534.038
25
¥48.6352
1215.88
50
¥46.4882
2324.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
86 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
329 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,TSM60NB099PW C1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
800:¥8.5315
参考库存:4746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:50153
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.9049
500:¥16.9839
参考库存:6465
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:25717
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥14.8256
10:¥12.2944
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9043
参考库存:3524
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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