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晶体管
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NDP7060

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数量单价合计
1
¥27.12
27.12
10
¥23.052
230.52
100
¥19.9784
1997.84
250
¥18.9049
4726.225
500
¥16.9839
8491.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
NDP7060
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
128 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
NDP7060_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,NDP7060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:13924
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:25941
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:4708
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:4665
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
5,000:¥4.3166
10,000:查看
参考库存:38782
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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