NSBC143TPDXV6T1G详细参数_参考价格_NSBC143TPDXV6T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80, 140
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC143TP
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	160
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
A2T07H310-24SR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	150:¥1,057.0924	参考库存:44520
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TGF2941	Qorvo	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN	50:¥182.3368 100:¥161.138 250:¥149.838 500:¥139.3855	参考库存:44535
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