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晶体管
TK22A10N1,S4X参考图片

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TK22A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V
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库存:4,155(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7348
673.48
500
¥5.9438
2971.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK22A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK22A10N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
3,000:¥1.8419
6,000:查看
参考库存:22347
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM53DS SC-74
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
参考库存:51944
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
10,000:¥1.4351
参考库存:126946
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥40.6461
10:¥33.6514
100:¥27.7415
250:¥26.8149
参考库存:22356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
参考库存:16953
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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