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晶体管
ZXMHC10A07T8TA参考图片

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ZXMHC10A07T8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
1,000
¥6.1359
6135.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms, 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC, 3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMHC10
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.6 S, 1.2 S
下降时间
2.1 ns, 3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns, 2.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 1.6 ns
商品其它信息
优势价格，ZXMHC10A07T8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF450R12ME4EB11BPSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,647.1445
5:¥1,607.4928
10:¥1,567.6151
25:¥1,545.6366
参考库存:3947
BUK9616-75B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.8366
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
800:¥4.0115
参考库存:27869
PSMN045-80YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:32021
FDC653N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:48873
FF1400R17IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 1400A 1700V
1:¥6,098.4066
5:¥6,000.8989
参考库存:3895

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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