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晶体管
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IGW60T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A
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数量单价合计
1
¥61.3138
61.3138
10
¥55.4039
554.039
25
¥52.8614
1321.535
100
¥45.878
4587.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60T120FKSA1 IGW6T12XK SP000013906
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IGW60T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-16LR
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
3,000:¥0.16159
9,000:¥0.13786
24,000:¥0.13108
45,000:¥0.11526
99,000:¥0.09266
参考库存:28158
ADC144EUQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:28163
BSX64
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 30MHz 70pF
500:¥43.5728
1,000:¥41.1094
2,000:¥39.5726
参考库存:28168
UMG4N-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150mW 100mA
3,000:¥1.00683
参考库存:28173
RJK5034DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.1419
10:¥11.6051
25:¥10.4525
100:¥9.1417
参考库存:28178

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    50万现货SKU

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