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晶体管
SUP53P06-20-E3参考图片

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SUP53P06-20-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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库存:6,326(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.5207
185.207
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SUP53P06-20-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥25.3572
10:¥22.8938
100:¥18.4416
500:¥12.7577
参考库存:5844
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.8365
10:¥6.1359
100:¥4.7912
500:¥3.5934
3,000:¥2.5538
6,000:查看
参考库存:44451
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V 6A
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:13783
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod
1:¥8.3733
10:¥7.1981
100:¥5.537
500:¥4.8816
2,500:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:11805
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:52587
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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