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晶体管
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FF300R17KE4

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数量单价合计
1
¥1,219.6768
1219.6768
5
¥1,190.3307
5951.6535
10
¥1,160.7473
11607.473
25
¥1,144.5318
28613.295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
440 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1800 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R17KE4HOSA1 SP000713528
商品其它信息
优势价格,FF300R17KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:23114
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:5711
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:23121
晶体管
MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:23126
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 15A
1,500:¥8.5315
4,500:¥8.2264
9,000:¥7.91
参考库存:23131
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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