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晶体管
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FQB55N10TM

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库存:12,381(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.4469
5723.45
800
¥9.5259
7620.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB55N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
140 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
250 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB55N10TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:69215
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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