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晶体管
FGH25T120SMD-F155参考图片

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FGH25T120SMD-F155

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库存:6,539(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.8834
40.8834
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.1258
3012.58
250
¥28.589
7147.25
500
¥25.6623
12831.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247G03-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH25T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH25T120SMD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH25T120SMD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥33.4254
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.3571
参考库存:6932
晶体管
达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A
1:¥6.8365
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.4634
参考库存:35631
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
5,000:¥5.3223
10,000:¥5.1189
参考库存:35636
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch Power MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
2,500:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:35641
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:35646
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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