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晶体管
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FDPF12N50NZ

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数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.4297
6429.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FDPF12N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FDPF12N50NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC338-40 A1
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥1.08367
1,000:¥0.3616
4,000:¥0.29945
8,000:查看
参考库存:46715
BC817-25W RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:38514
2N6383
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥493.2337
2:¥484.1711
5:¥478.7132
10:¥464.1927
参考库存:38519
BC 847CW H6778
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:38524
R6015FNJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Power MOSFET
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:38529

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    科技智能大仓储

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