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晶体管
PMZB290UN,315参考图片

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PMZB290UN,315

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2148
22.148
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.5989
598.9
10,000
¥0.5763
5763
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006B-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
715 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
5.8 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.5 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
0.680 mg
商品其它信息
优势价格，PMZB290UN,315的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF152
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥566.0057
2:¥554.8639
5:¥548.7958
10:¥531.5746
参考库存:1933
FMMTA14TA
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:28705
XF1001-SC-EV1
MACOM
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module
1:¥4,322.25
参考库存:1882
TP0620N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 200V 12Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:8004
2N6038
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:9051

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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