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晶体管
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FDP053N08B-F102

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1
¥13.2888
13.2888
10
¥11.30
113
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.91
3955
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
146 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP053N08B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
FDP053N08B_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT45GP120BG
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1,000:¥0.29154
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10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
1,500:¥2.5764
参考库存:9591

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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