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晶体管
APT56M60B2参考图片

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APT56M60B2

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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数量单价合计
1
¥129.1703
129.1703
10
¥117.407
1174.07
25
¥108.5704
2714.26
50
¥102.7396
5136.98
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
T-MAX-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
280 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.040 kW
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
65 ns
商品其它信息
优势价格,APT56M60B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9874
1,000:¥79.7554
参考库存:42546
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥364.3007
250:¥340.017
参考库存:42551
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥425.5354
参考库存:42556
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,440.2076
参考库存:42561
晶体管
MOSFET DFN MOSFET
5,000:¥4.6895
10,000:¥4.2714
参考库存:42566
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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