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晶体管
BFU590QX参考图片

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BFU590QX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.763
57.63
100
¥3.7177
371.77
1,000
¥2.9719
2971.9
2,000
¥2.5086
5017.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
130
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
8 GHz
最大直流电集电极电流
300 mA
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934067977115
单位重量
40.337 mg
商品其它信息
优势价格,BFU590QX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:31134
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
参考库存:37306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -60V -5A 600mW 110MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:27308
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
1:¥1,120.2481
5:¥1,098.2696
10:¥1,047.0241
25:¥1,025.0456
参考库存:7350
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:29815
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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