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晶体管
PTAB182002FC-V1-R0参考图片

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PTAB182002FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:52,816(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥714.0696
35703.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
增益
15.5 dB
输出功率
190 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTAB182002FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥13.1419
10:¥10.8367
参考库存:16163
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 5A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:14290
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:16442
晶体管
MOSFET NMOS DPAK 40V 4.1 MOHM
1:¥7.1416
10:¥5.9325
100:¥3.8307
1,000:¥3.0623
2,500:¥2.5877
参考库存:22379
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5961
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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