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晶体管
DMN3024LSD-13参考图片

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DMN3024LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL
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库存:33,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.5594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC, 12.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3024
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S, 16.5 S
下降时间
8 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns, 2.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3024LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7799
800:¥3.7742
参考库存:4294
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:67701
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥14.7578
10:¥12.2944
100:¥9.5259
参考库存:16463
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:6855
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:234382
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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