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晶体管
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IRG4PF50WPBF

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数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.8723
448.723
25
¥42.8044
1070.11
100
¥37.1092
3710.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
51 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
51 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001533582
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG4PF50WPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
0910-150M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,786.3766
参考库存:37083
STF2N62K3
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MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
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JANSF2N2222A
Microsemi
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50:¥616.0986
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10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
6,000:查看
参考库存:37095
JANTX2N3506L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:37100

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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