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晶体管
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TPS1100PWR

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库存：13,942(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6388
763.88
500
¥6.7461
3373.05
2,000
¥4.7234
9446.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.27 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
504 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
4.4 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1100
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
39 mg
商品其它信息
优势价格，TPS1100PWR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW15N120BH6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14
1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
500:¥25.5154
参考库存:4172
FZT857TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:43704
BUK765R0-100E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:25911
IKB20N65EH5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
3,000:¥11.526
5,000:查看
参考库存:6813
2N7000TA
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
2,000:¥0.49155
参考库存:425605

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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