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晶体管
FGH30S130P参考图片

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FGH30S130P

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库存:5,785(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
500
¥25.5154
12757.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1300 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH30S130P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH30S130P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:37451
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
参考库存:7598
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
参考库存:6935
晶体管
MOSFET 30V 23A 3.5W
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥9.831
参考库存:25072
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,000:¥4.407
参考库存:72104
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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