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晶体管
FGAF40N60UFTU参考图片

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FGAF40N60UFTU

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数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥14.9047
1490.47
500
¥12.9837
6491.85
1,000
¥10.7576
10757.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGAF40N60UF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
16.7 mm
长度
15.7 mm
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
零件号别名
FGAF40N60UFTU_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FGAF40N60UFTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17078
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
3,000:¥4.5991
参考库存:110550
晶体管
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:74387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
1:¥22.4418
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:58639
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated DC/DC Converter
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:18036
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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