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晶体管
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BSC0923NDI

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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4241
74.241
100
¥5.7065
570.65
500
¥5.0398
2519.9
5,000
¥3.5256
17628
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms, 2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC, 18.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
32 S, 43 S
下降时间
3 ns, 2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns, 3.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns, 4.1 ns
零件号别名
BSC0923NDIATMA1 BSC923NDIXT SP000934758
商品其它信息
优势价格,BSC0923NDI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.4918
1,000:¥4.3392
3,000:¥4.3392
参考库存:9302
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:6619
晶体管
MOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
1:¥50.3302
10:¥45.4938
25:¥43.3355
100:¥37.6516
3,000:¥27.5042
参考库存:19286
晶体管
MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
1:¥14.3736
10:¥11.9102
100:¥9.2208
500:¥8.1473
800:¥6.6896
参考库存:7078
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
2,000:¥16.6788
4,000:查看
参考库存:14365
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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