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晶体管
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FDP090N10

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库存：6,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP090N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
149 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
322 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
166 ns
典型接通延迟时间
107 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP090N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4931DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
1:¥11.0627
10:¥9.0626
2,500:¥9.0626
参考库存:41394
FCH104N60F-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
1:¥45.878
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:6596
SI7904BDN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
3,000:¥4.294
参考库存:10958
SIHP33N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥55.8672
10:¥50.4093
50:¥44.4881
100:¥41.7987
参考库存:4995
IRGP4066DPBF
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:3167

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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